MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:13
- 题名/责任者:
- 垂直型GaN和SiC功率器件/(日) 望月和浩著 黄锋 ... [等] 译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-111-70502-4/CNY99.00
- 载体形态项:
- XII, 217页:图;24cm
- 丛编项:
- 半导体与集成电路关键技术丛书
- 个人责任者:
- 望月和浩 著
- 个人次要责任者:
- 黄锋 译
- 个人次要责任者:
- 段宝兴 译
- 个人次要责任者:
- 柏松 译
- 学科主题:
- 功率半导体器件
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 机工电子
- 题名责任附注:
- 题名页题其余责任者:段宝兴、柏松、万成安、赵小宁、刘凌旗、王传声、张明、张志国、王英民、王雨茗等29人
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术,内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较,GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺,主要器件结构与特性,以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。
- 随书光盘:
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
TN303/30 | 01513876 | 西区4层 | 可借 | |
TN303/30 | 01513875 | 总馆 | 可借 |
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