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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:103

题名/责任者:
晶体管电路设计/(日) 铃木雅臣著 周南生, 彭军译
出版发行项:
北京:科学出版社,2004
ISBN及定价:
7-03-013278-5 下/CNY32.00
ISBN及定价:
7-03-013308-0 上/CNY29.00
载体形态项:
2册 (269, 305页):图;24cm
统一题名:
トランジスタ回路の設計
其它题名:
FET/功率MOS/开关电路的实验解析
其它题名:
放大电路技术的实验解析
丛编项:
实用电子电路设计丛书
个人责任者:
铃木雅臣
个人次要责任者:
彭军
个人次要责任者:
周南生
学科主题:
晶体管电路-电路设计
中图法分类号:
TN710.2
相关题名附注:
日文题名取自版权页
书目附注:
有书目
内容附注:
上, 放大电路技术的实验解析 ; 下, FET/功率MOS/开关电路的实验解析
随书光盘:
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态
TN710.2/27 00844190  v.2 西区密排2区      可借
TN710.2/27 00844191  v.2 西区密排2区      可借
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TN710.2/27 00844205  v.1 西区密排2区      可借
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TN710.2/27 00844193  v.2 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844194  v.2 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844195  v.2 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844196  v.2 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844197  v.2 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844198  v.1 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844199  v.1 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844200  v.1 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844201  v.1 东3层4区      可借
TN710.2/27 00844203  v.1 东3层4区      保留本
TN710.2/27 00844204  v.1 东3层4区      可借
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