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题名/责任者:

电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器/(意) Marta Bagatin, Simone Gerardin主编 毕津顺 ... [等] 译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-121-44206-3/CNY119.00

载体形态项:

20, 299页:图, 肖像;26cm

统一题名:

Ionizing radiation effects in electronics : from memories to imagers

其它题名:

从存储器到图像传感器

丛编项:

国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列

个人责任者:

巴吉安 (Bagatin, Marta) 主编

个人责任者:

杰拉尔丁 (Gerardin, Simone) 主编

个人次要责任者:

毕津顺 译

学科主题:

电子器件-电离辐射-研究

中图法分类号:

TN6

题名责任附注:

译者还有: 于庆奎, 丁李利, 李博

版本附注:

据2016年英文版译出

出版发行附注:

Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司授权出版 限中国大陆发行

责任者附注:

责任者Bagatin汉译姓取自CIP: 巴吉安 ;责任者Gerardin汉译姓取自CIP: 杰拉尔丁

责任者附注:

马尔塔·巴吉安（MartaBagatin），毕业于意大利帕多瓦大学，2006年获得电子工程专业学士学位，2010年获得信息科学与技术专业博士学位。她目前作为博士后，就职于意大利帕多瓦大学信息工程系。她的研究兴趣主要是电子器件的辐射效应和可靠性，特别关注非易失半导体存储器。在辐射效应和可靠性领域，Marta以第一作者或共同作者身份在国际期刊上发表论文约40篇，在国际会议上发表论文约50篇，撰写过两部专著的部分章节。她还经常作为核与空间辐射效应会议（NSREC)以及器件与系统的辐射效应会议（RADECS)等国际会议的委员，也是诸多学术期刊的审稿人。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书涵盖了现代半导体的电离辐射效应，探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD和闪存；数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。

使用对象附注:

本书适用于电路设计者、系统设计者和可靠性工程师

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