检索到 18 条 分类号=TN386 的结果
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中文图书1.砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管译文集 TN386.3/1
馆藏复本：1
可借复本：0 南京固体器件研究所编
该编者 1982
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中文图书2.MOS场效应晶体管和集成电路 TN386.1/2
馆藏复本：2
可借复本：0 (美)里奇曼(P.Richman)著
人民邮电出版社 1980
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中文图书3.最新世界场效应管特性代换手册 TN386/5
馆藏复本：2
可借复本：0 林吉申主编
福建科学技术出版社 1997
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中文图书4.场效应晶体管及其集成电路 TN386/3
馆藏复本：3
可借复本：0 江丕桓合编
国防工业出版社 1974
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中文图书5.电荷转移器件 TN386.5/4
馆藏复本：4
可借复本：2 (美) 塞甘(C.H.Seqguin),(美) 汤普塞(M.F.Tompse)著
科学出版社 1979
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中文图书6.离子敏感器件及其应用 TN386/1
馆藏复本：5
可借复本：4 黄德培编著
科学出版社 1987
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中文图书7.电荷耦合器件原理与应用 TN386.5/1
馆藏复本：5
可借复本：4 王以铭编著
科学出版社 1987
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中文图书8.场效应半导体器件 TN386/4
馆藏复本：1
可借复本：0 上海无线电十四厂,上海科学技术大学编
上海人民出版社 1972
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中文图书9.IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例.第2版 TN386.2/1(2)
馆藏复本：2
可借复本：2 周志敏, 纪爱华等编著
机械工业出版社 2014
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西文图书10.CMOS databook : including the latest products in microCMOS technology. TN386.1-62/CMO
馆藏复本：1
可借复本：1 National Semiconductor Corporation.
National Semiconductor Corporation, 1984.
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西文图书11.CMOS designers' primer and handbook / 2nd ed. TN386.1/GRM/(2)
馆藏复本：1
可借复本：1 by Robert M. Glorioso, Jack Streater.
E & L Instruments, c1978.
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西文图书12.BiCMOS/CMOS systems design / TN386.1/BJE
馆藏复本：1
可借复本：1 James E. Buchanan ; drawings by Bert D. Buchanan.
McGraw-Hill, c1991.
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中文图书13.结型场效应晶体管:原理与应用 TN386/2
馆藏复本：2
可借复本：2 (美) 托德(Todd,P.E)著
国防工业出版社 1970
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中文图书14.电荷耦合器件和系统 TN386.5/2
馆藏复本：3
可借复本：3 (美) M. J. 豪斯, D. V. 摩根编
国防工业出版社 1983
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中文图书15.MOS场效应晶体管的应用 TN322/1
馆藏复本：3
可借复本：3 (日)菅野卓雄,(日)垂井康夫编
人民邮电出版社 1982
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中文图书16.TMOS功率场效应晶体管原理及应用 TN386.1/1
馆藏复本：1
可借复本：1 沈耀忠, 任志纯, 罗毅编
电子工业出版社 1995
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中文图书17.固体图象传感器及其应用.第2版 TP212/46(2)
馆藏复本：8
可借复本：8 袁祥辉主编
重庆大学出版社 1996
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中文图书18.CCD 应用技术 TN386.5/3
馆藏复本：2
可借复本：2 王庆有, 孙学珠主编
天津大学出版社 1993
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