机读格式显示(MARC)

• 000 01527nam0 2200301 450

• 001 0000548516

• 005 20190307132500.0

• 091 __ |a 15031.143 |d CNY2.10

• 099 __ |a CAL 012000127827 |a CAL 0120110750747m |a CAL 0120100434923m |a CAL 012000757793 |a CAL 012000746611

• 100 __ |a 19971117d1977 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 金属{-}氧化物{-}半导体集成电路 |A jin shu yang hua wu ban dao ti ji cheng dian lu |e 金属-氧化物-半导体大规模集成电路的理论、设计、制造和在整体中的应用 |f (美)W.M.彭尼,L.劳编 |g 清华大学电子工程系半导体车间译

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 1977

• 215 __ |a 324页 |d 26cm

• 510 1_ |a MOS integrated circuits

• 517 1_ |a 金属氧化物半导体集成电路 |A jin shu yang hua wu ban dao ti ji cheng dian lu

• 517 1_ |a 金属氧化物半导体大规模集成电路的理论设计制造和在整体中的应用 |A jin shu yang hua wu ban dao ti da gui mo ji cheng dian lu de li lun she ji zhi zao he zai zheng ti zhong de ying yong

• 606 0_ |a 半导体集成电路,场效应型 |A ban dao ti ji cheng dian lu , chang xiao ying xing

• 690 __ |a TN432.1 |v 3　

• 701 _1 |a 彭尼 |A Pengni |g (Penney, William M.) |4 编 |3 CAL n2004517599# |7 jt0yjt0y |7 ec0yec0y

• 701 _1 |a 劳 |A Lao |g (Lau, Lillian) |4 编 |3 CAL n2004336062# |7 jt0yjt0y |7 ec0yec0y

• 712 02 |a 清华大学 |b 电子工程系 |b 半导体车间 |A Qing hua da xue |B Dian zi gong cheng xi |B Ban dao ti che jian |4 译 |3 CAL n2005327687# |7 jt0yjt0y |7 ec0yec0y

• 801 _0 |a CN |b CAU |c 20190307

• 905 __ |a CAU |d TN432.1/3

• 920 __ |a 211180 |z 1