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- 010 __ |a 978-7-121-44206-3 |d CNY119.00
- 099 __ |a CAL 012022110435
- 100 __ |a 20220923d2022 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 电子器件的电离辐射效应 |A dian zi qi jian de dian li fu she xiao ying |e 从存储器到图像传感器 |d = Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |f (意) Marta Bagatin, Simone Gerardin主编 |g 毕津顺 ... [等] 译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2022
- 215 __ |a 20, 299页 |c 图, 肖像 |d 26cm
- 225 2_ |a 国防电子信息技术丛书 |A guo fang dian zi xin xi ji shu cong shu |i 集成电路辐射效应与加固技术系列
- 304 __ |a 译者还有: 于庆奎, 丁李利, 李博
- 306 __ |a Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司授权出版 限中国大陆发行
- 314 __ |a 责任者Bagatin汉译姓取自CIP: 巴吉安 ;责任者Gerardin汉译姓取自CIP: 杰拉尔丁
- 314 __ |a 马尔塔·巴吉安（MartaBagatin），毕业于意大利帕多瓦大学，2006年获得电子工程专业学士学位，2010年获得信息科学与技术专业博士学位。她目前作为博士后，就职于意大利帕多瓦大学信息工程系。她的研究兴趣主要是电子器件的辐射效应和可靠性，特别关注非易失半导体存储器。在辐射效应和可靠性领域，Marta以第一作者或共同作者身份在国际期刊上发表论文约40篇，在国际会议上发表论文约50篇，撰写过两部专著的部分章节。她还经常作为核与空间辐射效应会议（NSREC)以及器件与系统的辐射效应会议（RADECS)等国际会议的委员，也是诸多学术期刊的审稿人。
- 330 __ |a 本书涵盖了现代半导体的电离辐射效应，探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD和闪存；数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。
- 333 __ |a 本书适用于电路设计者、系统设计者和可靠性工程师
- 410 _0 |1 2001 |a 国防电子信息技术丛书 |i 集成电路辐射效应与加固技术系列
- 500 10 |a Ionizing radiation effects in electronics : from memories to imagers |A Ionizing Radiation Effects In Electronics : From Memories To Imagers |m Chinese
- 517 1_ |a 从存储器到图像传感器 |A cong cun chu qi dao tu xiang chuan gan qi
- 606 0_ |a 电子器件 |A dian zi qi jian |x 电离辐射 |x 研究
- 701 _1 |a 巴吉安 |A ba ji an |g (Bagatin, Marta) |4 主编
- 701 _1 |a 杰拉尔丁 |A jie la er ding |g (Gerardin, Simone) |4 主编
- 702 _0 |a 毕津顺 |A bi jin shun |4 译
- 801 _0 |a CN |b CAU |c 20240308