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• 010 __ |a 978-7-111-73693-6 |d CNY149.00

• 099 __ |a CAL 012024008288

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• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a af a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体功率器件 |A kuan jin dai ban dao ti gong lv qi jian |e 材料、物理、设计及应用 |f (美) 贾扬·巴利加等著 |g 杨兵译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 331页, [15] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |A wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu

• 300 __ |a CMP BOOKS ELSEVIER

• 306 __ |a ELSEVIER INC授权出版 限中国大陆发行

• 312 __ |a 英文题名取自版权页

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 410 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 500 10 |a Wide bandgap semiconductor power devices : materials, physics, design, and applications |A Wide Bandgap Semiconductor Power Devices : Materials, Physics, Design, And Applications |m Chinese

• 517 1_ |a 材料、物理、设计及应用 |A cai liao、wu li、she ji ji ying yong

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 巴利加 |A Ba Li Jia |g (JayantBaliga B.) |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |A Yang Bing |4 译

• 801 _0 |a CN |b CAU |c 20250326

• 905 __ |a CAU |d TN303/33

• 920 __ |a 211180 |z 1