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- 010 __ |a 978-7-111-70502-4 |d CNY99.00
- 099 __ |a CAL 012022068405
- 100 __ |a 20220721d2022 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 垂直型GaN和SiC功率器件 |A chui zhi xing GaN he SiC gong lu^ qi jian |d = Vertical GaN and SiC power devices |f (日) 望月和浩著 |g 黄锋 ... [等] 译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022
- 215 __ |a XII, 217页 |c 图 |d 24cm
- 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu
- 304 __ |a 题名页题其余责任者:段宝兴、柏松、万成安、赵小宁、刘凌旗、王传声、张明、张志国、王英民、王雨茗等29人
- 330 __ |a 本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术,内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较,GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺,主要器件结构与特性,以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。
- 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书
- 510 1_ |a Vertical GaN and SiC power devices |z eng
- 606 0_ |a 功率半导体器件 |A gong lu^ ban dao ti qi jian
- 701 _0 |a 望月和浩 |A wang yue he hao |4 著
- 702 _0 |a 黄锋 |A huang feng |4 译
- 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译
- 702 _0 |a 柏松 |A bai song |4 译
- 801 _0 |a CN |b CAU |c 20231204
- 905 __ |a CAU |d TN303/30